гранты и субсидии

Гранты на исследования фундаментальных проблем создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти

Сумма гранта:18 000тыс. руб.
Окончание приёма через:3дня

Объявлен конкурс на лучшие научные проекты междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Фундаментальные проблемы создания элементной базы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем».

Код: «мк».

Рубрикатор темы:
903.1. Физические принципы работы резистивной (RRAM) и сегнетоэлектрической памяти (FRAM) на основе традиционных и новых материалов c мемристорными свойствами.
903.2. Механизмы переключения элементов памяти на основе оксидов металлов, исследование влияния ростовых и внесенных дефектов на изменение сопротивления диэлектриков и определение их электронных свойств в различных состояниях мемристора.
903.3. Физико-химические факторы, препятствующие достижению высокого быстродействия, надежности, большому количеству циклов переключения и воспроизводимости основных электрических параметров мемристорных структур.
903.4. Моделирование и разработка самосовмещенных с мемристором селекторных диодов, необходимых для создания матриц памяти терабитного масштаба.
903.5. Мемристорные структуры, не требующие стадии формовки.
903.6. Моделирование, проектирование и разработка архитектуры элемента памяти с самосовмещенным селектором и матрицы элементов памяти терабитного масштаба, включая трехмерную интеграцию.
903.7. Энергонезависимые многоуровневые элементы памяти на основе оксидов металлов, оксиде и фториде графена и других новых материалов.
903.8. Моделирование работы многоуровневых элементов памяти в качестве синапсов и разработка программного обеспечения для систем с механизмом параллельных вычислений, необходимых для создания нейроморфных сетей.

Срок реализации проекта: 3 года.

Максимальный размер гранта: 6000 тыс. руб. в год.

Подробнее о конкурсе можно узнать на сайте:

Подробнее на сайте
Дата публикации: 12.01.2019
Дата окончания приёма: 19.02.2019